读取中,请稍候

00-00 00:00:00
--.--
0.00 (0.000%)
昨收盘:0.000今开盘:0.000最高价:0.000最低价:0.000
成交额:0成交量:0买入价:0.000卖出价:0.000
市盈率:0.000收益率:0.00052周最高:0.00052周最低:0.000
中微公司:2020年年度报告摘要 下载公告
公告日期:2021-03-31

公司代码:688012 公司简称:中微公司

中微半导体设备(上海)股份有限公司

2020年年度报告摘要

一 重要提示1 本年度报告摘要来自年度报告全文,为全面了解本公司的经营成果、财务状况及未来发展规

划,投资者应当到上海证券交易所网站等中国证监会指定媒体上仔细阅读年度报告全文。

2 重大风险提示报告期内,不存在对公司生产经营产生实质性影响的特别重大风险。公司已在报告中详细描述可能存在的相关风险,敬请查阅第四节经营情况讨论与分析“二、风险因素”部分内容。

3 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证年度报告内容的真实、准确、完整,

不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏,并承担个别和连带的法律责任。

4 公司全体董事出席董事会会议。

5 普华永道中天会计师事务所(特殊普通合伙)为本公司出具了标准无保留意见的审计报告。

6 经董事会审议的报告期利润分配预案或公积金转增股本预案充分考虑到公司目前处于发展投入期,资金需求较大,为更好地维护全体股东的长远利益,公司2020年度不分配利润,资本公积不转增。

7 是否存在公司治理特殊安排等重要事项

□适用 √不适用

二 公司基本情况1 公司简介公司股票简况

√适用 □不适用

公司股票简况
股票种类股票上市交易所及板块股票简称股票代码变更前股票简称
A股上海证券交易所科创板中微公司688012不适用
联系人和联系方式董事会秘书(信息披露境内代表)证券事务代表
姓名刘晓宇胡潇
办公地址上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号
电话021-61001199021-61001199
电子信箱IR@amecnsh.comIR@amecnsh.com

1、刻蚀设备

产品类别图示应用领域
电容性等离子体刻蚀设备主要应用于集成电路制造中氧化硅、氮化硅及低介电系数膜层等电介质材料的刻蚀
电感性等离子体刻蚀设备、深硅刻蚀设备主要应用于在集成电路制造中单晶硅、多晶硅以及多种介质等材料的刻蚀
主要应用于CMOS图像传感器、MEMS芯片、2.5D芯片、3D芯片等通孔及沟槽的刻蚀
产品类别图示应用领域
MOCVD设备蓝绿光及紫外LED外延片和功率器件的生产
产品类别图示应用领域
VOC设备平板显示生产线等工业用的空气净化

(二) 主要经营模式

1、盈利模式

公司主要从事半导体设备的研发、生产和销售,通过向下游集成电路、LED外延片、先进封装、MEMS等半导体产品的制造公司销售刻蚀设备和MOCVD设备、提供配件及服务实现收入和利润。报告期内,公司主营业务收入来源于半导体设备产品的销售,其他收入来源于设备相关配件销售及设备支持服务等。

2、研发模式

公司主要采取自主研发的模式。根据公司产品成熟度,公司的研发流程主要包括概念与可行性阶段、Alpha阶段、Beta阶段、量产阶段。

公司按照刻蚀设备、MOCVD设备等不同研发对象和项目产品,组成了相对独立的研发团队。不同产品研发团队拥有各自独立的机械设计、工艺开发、产品管理和技术支持团队,而在电气工程、平台工程、软件工程等方面则采用共享的方式进行研发支持。通过这种矩阵管理的方法,实现了人才、营运等资源在不同的产品及技术服务之间灵活分配,实现共享经验知识,优化资源使用效率,使公司能够快速响应不断变化的研发要求,进行持续的技术创新。

3、采购模式

为保证公司产品的质量和性能,公司制定了严格的供应商选择和审核制度。达到经营资质、研发和设计能力、技术水平、质量管控能力、生产能力、产品价格、交货周期及付款周期等众多标准要求的供应商,才可以被考虑纳入公司合格供应商名录,并定期审核。目前,公司已经与全球众多供应商建立了长期、稳定的合作关系。

4、生产模式

公司主要采用以销定产的生产模式,实行订单式生产为主,结合少量库存式生产为辅的生产方式。订单式生产是指公司在与客户签订订单后,根据订单情况进行定制化设计及生产制造,以应对客户的差异化需求。库存式生产是指公司对设备通用组件或成批量出货设备常用组件根据内部需求及生产计划进行预生产,主要为快速响应交期及平衡产能。

5、营销及销售模式

公司采取直销为主的销售模式,因欧洲市场的客户较为分散,公司在该区域通过代理商模式进行销售。公司设有全球业务部负责公司所有产品的销售管理,下设中国大陆、中国台湾、韩国、日本、新加坡、美国等国家或者地区的区域销售部门。

(三) 所处行业情况

1. 行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛

半导体设备行业是一个全球化程度较高的行业,受国际经济波动、半导体市场、终端消费市场需求影响,其发展呈现一定的周期性波动。当宏观经济和终端消费市场需求变化较大时,半导体生产厂商会调整其资本性支出规模和对半导体设备的采购计划,从而对公司的营业收入和盈利产生影响。全球集成电路和以LED为代表的光电子器件的销售额合计占所有半导体产品销售额的90%以上,是半导体产品最重要的组成部分。受终端芯片价格下降及生产产能持续释放等因素影响,2020年度LED设备市场仍呈现下滑态势。2020年至2024年,全球半导体设备采购支出预计将保持温和增长态势。根据Gartner的预测,刻蚀设备市场规模将由2020年约123亿美元增长至2024年约152亿美元。公司所处的细分行业为半导体设备行业中的刻蚀设备行业和LED设备行业中的MOCVD设备行业。

1、刻蚀设备

集成电路设备包括晶圆制造设备、封装设备和测试设备等,晶圆制造设备的市场规模约占集成电路设备整体市场规模的约80%。

晶圆制造设备从类别上讲可以分为刻蚀、薄膜沉积、光刻、检测、离子掺杂等十多类,其中刻蚀设备、薄膜沉积、光刻设备设备是集成电路前道生产工艺中最重要的三类设备。根据Gartner分析,2020年按全球晶圆制造设备销售金额占比类推,目前刻蚀设备(包含清洗设备)、薄膜沉积和光刻设备分别占晶圆制造设备价值量约29%、22%和21%。

随着集成电路芯片制造工艺的进步,线宽不断缩小、芯片结构3D化,晶圆制造向7纳米、5纳米以及更先进的工艺发展。由于目前先进工艺芯片加工使用的浸没式光刻机受到波长限制,14纳米及以下的逻辑器件微观结构的加工多通过等离子体刻蚀和薄膜沉积的工艺组合——多重模板工艺来实现,使得刻蚀等相关设备的加工步骤增多。

2、MOCVD设备

LED产业链由衬底加工、LED 外延片生产、芯片制造和器件封装组成。该产业链中主要涉及的设备包括:衬底加工需要的单晶炉、多线切割机;制造外延片需要的MOCVD设备;制造芯片需要的光刻、刻蚀、清洗、检测设备;封装需要的贴片机、固晶机、焊线台和灌胶机等。

LED外延片的制备是LED外延片生产的重要步骤,与集成电路在多种核心设备间循环的制造工艺不同,LED外延片主要通过MOCVD单种设备实现。MOCVD设备采购金额一般占LED生产线总投入的一半以上,是LED外延片制造中最重要的设备。

目前MOCVD设备主要用于氮化镓基及砷化镓基半导体材料外延生长,其中氮化镓基LEDMOCVD主要用于生产氮化镓基LED和功率器件的外延片。除用于制造通用照明和背光显示的蓝光LED,MOCVD设备还可制造应用于高端显示的MiniLED和Micro LED、用于杀菌消毒和空气净化的紫外LED、应用于电力电子的功率器件,随着这些新兴领域的应用拓展及逐步推广,氮化镓基MOCVD设备的市场规模有望进一步扩大。

过去几年,LED客户扩产的主要方向为蓝绿光外延片,应用领域也主要在照明市场。照明目前依然是LED行业发展需求最大的应用市场。在Mini LED背光及直接显示市场需求的推动下,近两年高端显示类的LED外延片需求量增加明显。基于Micro LED的高端显示应用也开始小规模试生产,预计在未来几年将会有更多的市场需求。根据TrendForce集邦咨询报道,随着Mini LED背光显示渗透率的提升,以及Mini LED直接显示逐渐进入商显等市场,Mini/Micro LED新型显示带来的LED外延片需求量将快速增长。

除了新型显示应用,紫外LED亦是未来LED应用的重点方向。近期受新冠疫情影响,大众杀菌、消毒意识明显上升,正极大地促进紫外LED产业的发展。

2. 公司所处的行业地位分析及其变化情况

目前半导体设备市场主要由欧美、日本等国家的企业所占据。近年来我国半导体设备行业整体水平不断提高。

在刻蚀设备方面,全球刻蚀设备市场呈现垄断格局,泛林半导体、东京电子、应用材料占据主要市场份额;公司刻蚀设备已应用于全球先进的7纳米和5纳米集成电路加工制造生产线。虽然公司在主要客户的市场占有率稳步提升,但目前在销售规模上与全球巨头尚有差距。

在MOCVD设备领域,公司MOCVD设备已在行业领先客户生产线上大规模投入量产,持续保持在行业内的领先地位。

3. 报告期内新技术、新产业、新业态、新模式的发展情况和未来发展趋势

1、等离子体刻蚀技术

刻蚀可以分为湿法刻蚀和干法刻蚀,湿法刻蚀各向异性较差,侧壁容易产生横向刻蚀造成刻蚀偏差,通常用于工艺尺寸较大的应用,或用于干法刻蚀后清洗残留物等。干法刻蚀是目前主流的刻蚀技术,其中以等离子体干法刻蚀为主导。

等离子体刻蚀设备是一种大型真空的全自动的加工设备,一般由多个真空等离子体反应腔和主机传递系统构成。等离子体刻蚀设备的分类与刻蚀工艺密切相关,其原理是利用等离子体放电

产生的带化学活性的粒子,在离子的轰击下,与表面的材料发生化学反应,产生可挥发的气体,从而在表面的材料上加工出微观结构。根据产生等离子体方法的不同,干法刻蚀主要分为电容性等离子体刻蚀和电感性等离子体刻蚀;根据被刻蚀材料类型的不同,干法刻蚀主要是刻蚀介质材料、硅材料和金属材料。电容性等离子体刻蚀主要是以高能离子在较硬的介质材料上,刻蚀高深宽比的深孔、沟槽等微观结构;而电感性等离子体刻蚀主要是以较低的离子能量和极均匀的离子浓度刻蚀较软的或较薄的材料。这两种刻蚀设备涵盖了主要的刻蚀应用。

电容性等离子体刻蚀反应腔电感性等离子体刻蚀反应腔
c
10纳米多重模板工艺原理,涉及多次刻蚀
2D NAND及3D NAND示意图

3 公司主要会计数据和财务指标

3.1 近3年的主要会计数据和财务指标

单位:元 币种:人民币

2020年2019年本年比上年 增减(%)2018年
总资产5,800,876,895.944,774,054,304.0421.513,532,678,998.55
营业收入2,273,291,898.061,946,949,250.7516.761,639,288,330.40
归属于上市公司股东的净利润492,199,161.31188,564,219.09161.0290,869,243.54
归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润23,319,394.77147,539,304.73-84.19104,283,115.16
归属于上市公司股东的净资产4,369,057,694.763,751,076,960.2416.472,116,405,814.74
经营活动产生的现金流量净额846,292,855.04133,270,991.54535.01261,107,142.05
基本每股收益(元/股)0.920.37148.650.20
稀释每股收益(元/股)0.920.37148.650.20
加权平均净资产收益率(%)12.116.71增加5.40个百分点7.48
研发投入占营业收入的比例(%)28.1421.81增加6.33个百分点24.65
第一季度 (1-3月份)第二季度 (4-6月份)第三季度 (7-9月份)第四季度 (10-12月份)
营业收入412,585,985.95565,818,298.69497,904,503.13796,983,110.29
归属于上市公司股东的净利润26,224,930.6892,824,183.54157,885,130.66215,264,916.43
归属于上市公司股东的扣除非经常性损益后的净利润-6,193,811.9546,373,495.44-85,652,566.3868,792,277.66
经营活动产生的现金流量净额248,652,463.0338,451,431.4695,310,883.44463,878,077.11
截止报告期末普通股股东总数(户)30,054
年度报告披露日前上一月末的普通股股东总数(户)35,940
截止报告期末表决权恢复的优先股股东总数(户)0
年度报告披露日前上一月末表决权恢复的优先股股东总数(户)0
前十名股东持股情况
股东名称 (全称)报告期内增减期末持股数量比例(%)持有有限售条件股份数量包含转融通借出股份的限售股份数量质押或冻结情况股东 性质
股份 状态数量
上海创业投资有限公司096,383,53318.0296,383,53396,383,5330国有法人
巽鑫(上海)投资有限公司093,337,88717.4593,337,88793,337,8870国有法人
南昌智微企业管理合伙企业(有限合伙)030,644,4545.7330,644,45430,644,4540境内非国有法人
中微半导体设备(上海)股份有限公司未确认持有人证券专用账户-51,443,97724,821,5374.6424,821,53724,821,5370其他
嘉兴悦橙投资合伙企业(有限合伙)-7,483,61415,082,3772.82000境内非国有法人
中国工商银行股份有限公司-诺安成长股票型证券投资基金14,718,74114,718,7412.75000其他
国开创新资本投资有限责任公司-5,348,62214,342,5612.68000国有法人
置都(上海)投资中心(有限合伙)-14,423,73311,960,2532.24000境内非国有法人
GRENADE PTE. LTD.11,442,7462.1411,442,74611,442,7460境外法人
BOOTES PTE. LTD.11,119,5802.0811,119,58011,119,5800境外法人
上述股东关联关系或一致行动的说明悦橙投资、创橙投资、亮橙投资的管理机构为上海兴橙投资管理有限公司,视为一致行动人。
表决权恢复的优先股股东及持股数量的说明

  附件:公告原文
返回页顶